由于雜質(zhì)原子的最外層有三個(gè)價(jià)電子，所以當(dāng)它們與其周圍硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，就產(chǎn)生了一個(gè)“空位”，當(dāng)硅原子的最外層電子填補(bǔ)此空位時(shí)，其共價(jià)鍵中便產(chǎn)生一個(gè)空穴。因而p型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子。因雜質(zhì)原子中的空位吸收電子，故稱之為受主原子。

3、pN結(jié)

pN結(jié)：采用不同的摻雜工藝，將p型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成pN結(jié)。

擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運(yùn)動(dòng)，這種由于濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

當(dāng)把p型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在一起時(shí)，在它們的交界面，兩種載流子的濃度差很大，因而p區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴(kuò)散，與此同時(shí)，N區(qū)的自由電子也必然向p區(qū)擴(kuò)散，如圖示。

由于擴(kuò)散到p區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合，而擴(kuò)散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合，所以在交界面附近多子的濃度下降，p區(qū)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動(dòng)的，稱為空間電荷區(qū)，從而形成內(nèi)建電場ε。

隨著擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行，空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)建電場增強(qiáng)，其方向由N區(qū)指向p區(qū)，正好阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。

漂移運(yùn)動(dòng)：在電場力作用下，載流子的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)。

當(dāng)空間電荷區(qū)形成后，在內(nèi)建電場作用下，少子產(chǎn)生飄移運(yùn)動(dòng)，空穴從N區(qū)向p區(qū)運(yùn)動(dòng)，而自由電子從p區(qū)向N區(qū)運(yùn)動(dòng)。在無外電場和其它激發(fā)作用下，參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的多子數(shù)目等于參與漂移運(yùn)動(dòng)的少子數(shù)目，從而達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，形成pN結(jié)，如圖示。此時(shí)，空間電荷區(qū)具有一定的寬度，電位差為ε=Uho，電流為零。

二、太陽能電池工作原理

1、光生伏打效應(yīng):

太陽能電池能量轉(zhuǎn)換的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體pN結(jié)的光生伏打效應(yīng)。如前所述，當(dāng)光照射到半導(dǎo)體光伏器件上時(shí)，能量大于硅禁帶寬度的光子穿過減反射膜進(jìn)入硅中，在N區(qū)、耗盡區(qū)和p區(qū)中激發(fā)出光生電子--空穴對(duì)。

耗盡區(qū)：光生電子--空穴對(duì)在耗盡區(qū)中產(chǎn)生后，立即被內(nèi)建電場分離，光生電子被送進(jìn)N區(qū)，光生空穴則被推進(jìn)p區(qū)。根據(jù)耗盡近似條件，耗盡區(qū)邊界處的載流子濃度近似為0，即p=n=0。

在N區(qū)中：光生電子--空穴對(duì)產(chǎn)生以后，光生空穴便向p-N結(jié)邊界擴(kuò)散，一旦到達(dá)p-N結(jié)邊界，便立即受到內(nèi)建電場作用，被電場力牽引作漂移運(yùn)動(dòng)，越過耗盡區(qū)進(jìn)入p區(qū)，光生電子(多子)則被留在N區(qū)。

在p區(qū)中：的光生電子(少子)同樣的先因?yàn)閿U(kuò)散、后因?yàn)槠贫M(jìn)入N區(qū)，光生空穴(多子)留在p區(qū)。如此便在p-N結(jié)兩側(cè)形成了正、負(fù)電荷的積累，使N區(qū)儲(chǔ)存了過剩的電子，p區(qū)有過剩的空穴。從而形成與內(nèi)建電場方向相反的光生電場。

1.光生電場除了部分抵消勢壘電場的作用外，還使p區(qū)帶正電，N區(qū)帶負(fù)電，在N區(qū)和p區(qū)之間的薄層就產(chǎn)生電動(dòng)勢，這就是光生伏打效應(yīng)。當(dāng)電池接上一負(fù)載后，光電流就從p區(qū)經(jīng)負(fù)載流至N區(qū)，負(fù)載中即得到功率輸出。

2.如果將p-N結(jié)兩端開路，可以測得這個(gè)電動(dòng)勢，稱之為開路電壓Uoc。對(duì)晶體硅電池來說，開路電壓的典型值為0.5～0.6V。

3.如果將外電路短路，則外電路中就有與入射光能量成正比的光電流流過，這個(gè)電流稱為短路電流Isc。

影響光電流的因素：

1.通過光照在界面層產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)愈多，電流愈大。

2.界面層吸收的光能愈多，界面層即電池面積愈大，在太陽電池中形成的電流也愈大。

3.太陽能電池的N區(qū)、耗盡區(qū)和p區(qū)均能產(chǎn)生光生載流子;

4.各區(qū)中的光生載流子必須在復(fù)合之前越過耗盡區(qū)，才能對(duì)光電流有貢獻(xiàn)，所以求解實(shí)際的光生電流必須考慮到各區(qū)中的產(chǎn)生和復(fù)合、擴(kuò)散和漂移等各種因素。

太陽能電池等效電路、輸出功率和填充因數(shù)

⑴等效電路

為了描述電池的工作狀態(tài)，往往將電池及負(fù)載系統(tǒng)用一個(gè)等效電路來模擬。

1.恒流源:在恒定光照下，一個(gè)處于工作狀態(tài)的太陽電池，其光電流不隨工作狀態(tài)而變化，在等效電路中可把它看做是恒流源。

2.暗電流Ibk:光電流一部分流經(jīng)負(fù)載RL，在負(fù)載兩端建立起端電壓U，反過來，它又正向偏置于pN結(jié)，引起一股與光電流方向相反的暗電流Ibk。

3.這樣，一個(gè)理想的pN同質(zhì)結(jié)太陽能電池的等效電路就被繪制成如圖所示。

4.串聯(lián)電阻RS:由于前面和背面的電極接觸，以及材料本身具有一定的電阻率，基區(qū)和頂層都不可避免地要引入附加電阻。流經(jīng)負(fù)載的電流經(jīng)過它們時(shí)，必然引起損耗。在等效電路中，可將它們的總效果用一個(gè)串聯(lián)電阻RS來表示。

5.并聯(lián)電阻RSh:由于電池邊沿的漏電和制作金屬化電極時(shí)在微裂紋、劃痕等處形成的金屬橋漏電等，使一部分本應(yīng)通過負(fù)載的電流短路，這種作用的大小可用一個(gè)并聯(lián)電阻RSh來等效。

當(dāng)流進(jìn)負(fù)載RL的電流為I，負(fù)載RL的端電壓為U時(shí)，可得：

式中的p就是太陽能電池被照射時(shí)在負(fù)載RL上得到的輸出功率。

⑵輸出功率

當(dāng)流進(jìn)負(fù)載RL的電流為I，負(fù)載RL的端電壓為U時(shí)，可得：

式中的p就是太陽能電池被照射時(shí)在負(fù)載RL上得到的輸出功率。

當(dāng)負(fù)載RL從0變到無窮大時(shí)，輸出電壓U則從0變到U0C，同時(shí)輸出電流便從ISC變到0，由此即可畫出太陽能電池的負(fù)載特性曲線。曲線上的任一點(diǎn)都稱為工作點(diǎn)，工作點(diǎn)和原點(diǎn)的連線稱為負(fù)載線，負(fù)載線的斜率的倒數(shù)即等于RL，與工作點(diǎn)對(duì)應(yīng)的橫、縱坐標(biāo)即為工作電壓和工作電流。

調(diào)節(jié)負(fù)載電阻RL到某一值Rm時(shí)，在曲線上得到一點(diǎn)M，對(duì)應(yīng)的工作電流Im和工作電壓Um之積最大，即：pm=ImUm

一般稱M點(diǎn)為該太陽能電池的最佳工作點(diǎn)(或稱最大功率點(diǎn))，Im為最佳工作電流，Um為最佳工作電壓，Rm為最佳負(fù)載電阻，pm為最大輸出功率。

⑶填充因數(shù)

1.最大輸出功率與(Uoc×Isc)之比稱為填充因數(shù)(FF)，這是用以衡量太陽能電池輸出特性好壞的重要指標(biāo)之一。

2.填充因數(shù)表征太陽能電池的優(yōu)劣，在一定光譜輻照度下，F(xiàn)F愈大，曲線愈“方”，輸出功率也愈高。

4、太陽能電池的效率、影響效率的因素

⑴太陽能電池的效率:

太陽能電池受照射時(shí)，輸出電功率與入射光功率之比η稱為太陽能電池的效率，也稱光電轉(zhuǎn)換效率。一般指外電路連接最佳負(fù)載電阻RL時(shí)的最大能量轉(zhuǎn)換效率。

在上式中，如果把At換為有效面積Aa(也稱活性面積)，即從總面積中扣除柵線圖形面積，從而算出的效率要高一些，這一點(diǎn)在閱讀國內(nèi)外文獻(xiàn)時(shí)應(yīng)注意。

美國的普林斯最早算出硅太陽能電池的理論效率為21.7%。20世紀(jì)70年代，華爾夫(M.Wolf)又做過詳盡的討論，也得到硅太陽能電池的理論效率在AM0光譜條件下為20%~22%，以后又把它修改為25%(AM1.0光譜條件)。

估計(jì)太陽能電池的理論效率，必須把從入射光能到輸出電能之間所有可能發(fā)生的損耗都計(jì)算在內(nèi)。其中有些是與材料及工藝有關(guān)的損耗，而另一些則是由基本物理原理所決定的。

⑵影響效率的因素

綜上所述，提高太陽能電池效率，必須提高開路電壓Uoc、短路電流ISC和填充因子FF這三個(gè)基本參量。而這3個(gè)參量之間往往是互相牽制的，如果單方面提高其中一個(gè)，可能會(huì)因此而降低另一個(gè)，以至于總效率不僅沒提高反而有所下降。因而在選擇材料、設(shè)計(jì)工藝時(shí)必須全盤考慮，力求使3個(gè)參量的乘積最大。

1.材料能帶寬度:

開路電壓UOC隨能帶寬度Eg的增大而增大，但另一方面，短路電流密度隨能帶寬度Eg的增大而減小。結(jié)果可期望在某一個(gè)確定的Eg處出現(xiàn)太陽電池效率的峰值。用Eg值介于1.2～1.6eV的材料做成太陽電池，可望達(dá)到最高效率。薄膜電池用直接帶隙半導(dǎo)體更為可取，因?yàn)樗茉诒砻娓浇展庾印?/p>

2.溫度:

少子的擴(kuò)散長度隨溫度的升高稍有增大，因此光生電流也隨溫度的升高有所增加，但UOC隨溫度的升高急劇下降。填充因子下降，所以轉(zhuǎn)換效率隨溫度的增加而降低。

3.輻照度:

隨輻照度的增加短路電流線性增加，最大功率不斷增加。將陽光聚焦于太陽電池，可使一個(gè)小小的太陽電池產(chǎn)生出大量的電能。

4.摻雜濃度:

對(duì)UOC有明顯影響的另一因素是半導(dǎo)體摻雜濃度。摻雜濃度越高，UOC越高。但當(dāng)硅中雜質(zhì)濃度高于1018/cm3時(shí)稱為高摻雜，由于高摻雜而引起的禁帶收縮、雜質(zhì)不能全部電離和少子壽命下降等等現(xiàn)象統(tǒng)稱為高摻雜效應(yīng)，也應(yīng)予以避免。

5.光生載流子復(fù)合壽命:

對(duì)于太陽電池的半導(dǎo)體而言，光生載流子的復(fù)合壽命越長，短路電流會(huì)越大。達(dá)到長壽命的關(guān)鍵是在材料制備和電池的生產(chǎn)過程中，要避免形成復(fù)合中心。在加工過程中，適當(dāng)而且經(jīng)常進(jìn)行相關(guān)工藝處理，可以使復(fù)合中心移走，而且延長壽命。

6.表面復(fù)合速率:

低的表面復(fù)合速率有助于提高Isc，前表面的復(fù)合速率測量起來很困難，經(jīng)常假設(shè)為無窮大。一種稱為背電場(BSF)的電池設(shè)計(jì)為，在沉積金屬接觸前，電池的背面先擴(kuò)散一層p+附加層。

7.串聯(lián)電阻和金屬柵線:

串聯(lián)電阻來源于引線、金屬接觸柵或電池體電阻，而金屬柵線不能透過陽光，為了使Isc最大，金屬柵線占有的面積應(yīng)最小。一般使金屬柵線做成又密又細(xì)的形狀，可以減少串聯(lián)電阻，同時(shí)增大電池透光面積。

8.采用絨面電池設(shè)計(jì)和選擇優(yōu)質(zhì)減反射膜:

依靠表面金字塔形的方錐結(jié)構(gòu)，對(duì)光進(jìn)行多次反射，不僅減少了反射損失，而且改變了光在硅中的前進(jìn)方向并延長了光程，增加了光生載流子產(chǎn)量;曲折的絨面又增加了pN結(jié)的面積，從而增加對(duì)光生載流子的收集率，使短路電流增加5%～10%，并改善電池的紅光響應(yīng)。

9.陰影對(duì)太陽電池的影響:

太陽電池會(huì)由于陰影遮擋等造成不均勻照射，輸出功率大大下降。

目前,太陽能電池的應(yīng)用已從特種領(lǐng)域、航天領(lǐng)域進(jìn)入工業(yè)、商業(yè)、農(nóng)業(yè)、通信、家用電器以及公用設(shè)施等部門，尤其可以分散地在邊遠(yuǎn)地區(qū)、高山、沙漠、海島和農(nóng)村使用，以節(jié)省造價(jià)很貴的輸電線路。但是在目前階段，它的成本還很高，發(fā)出1kW電需要投資上萬美元，因此大規(guī)模使用仍然受到經(jīng)濟(jì)上的限制。

但是，從長遠(yuǎn)來看，隨著太陽能電池制造技術(shù)的改進(jìn)以及新的光—電轉(zhuǎn)換裝置的發(fā)明，各國對(duì)環(huán)境的保護(hù)和對(duì)再生清潔能源的巨大需求，太陽能電池仍將是利用太陽輻射能比較切實(shí)可行的方法，可為人類未來大規(guī)模地利用太陽能開辟廣闊的前景。