目前比較流行的低成本、超小占用空間方案設(shè)計基本都是采用PSR原邊反饋反激式，通過原邊反饋穩(wěn)壓省掉電壓反饋環(huán)路（TL431和光耦）和較低的EMC輻射省掉Y電容，不僅省成本而且省空間，得到很多電源工程師采用。

下面結(jié)合實(shí)際來講講我對PSR原邊反饋開關(guān)電源設(shè)計的獨(dú)特方法——以實(shí)際為基礎(chǔ)。

要求條件：

全電壓輸入，輸出5V/1A，符合能源之星2之標(biāo)準(zhǔn)，符合IEC60950和EN55022安規(guī)及EMC標(biāo)準(zhǔn)。因充電器為了方便攜帶，一般都要求小體積，所以針對5W的開關(guān)電源充電器一般都采用體積較小的EFD-15和EPC13的變壓器，此類變壓器按常規(guī)計算方式可能會認(rèn)為CORE太小，做不到，如果現(xiàn)在還有人這樣認(rèn)為，那你就OUT了。

磁芯以確定，下面就分別講講采用EFD15和EPC13的變壓器設(shè)計5V/1A5W的電源變壓器。

1.EFD15變壓器設(shè)計

目前針對小變壓器磁芯，特別是小公司基本都無從得知CORE的B/H曲線，因PSR線路對變壓器漏感有所要求。

所以從對變壓器作最小漏感設(shè)計入手：

已知輸出電流為1A，5W功率較小，所以銅線的電流密度選8A/mm2，

次級銅線直徑為:SQRT(1/8/3.14)*2=0.4mm。

通過測量或查詢BOBBIN資料可以得知，EFD15的BOBBIN的幅寬為9.2mm。

因次級采用三重絕緣線，0.4mm的三重絕緣線實(shí)際直徑為0.6mm。

為了減小漏感把次級線圈設(shè)計為1整層，次級雜數(shù)為：9.2/0.6mm=15.3Ts,取15Ts。

因IC內(nèi)部一般內(nèi)置VDS耐壓600~650V的MOS，考慮到漏感尖峰，需留50~100V的應(yīng)力電壓余量，所以反射電壓需控制在100V以內(nèi)，

得：(Vout+VF)*n<100,即：n<100/（5+1）,n<16.6,

取n=16.5,得初級匝數(shù)NP=15*16.5=247.5

取NP=248，代入上式驗(yàn)證，（Vout+VF）*(NP/NS)<100,

即(5+1)*(248/15)=99.2<100,成立。

確定NP=248Ts.

假設(shè)：初級248Ts在BOBBIN上采用分3層來繞，因多層繞線考慮到出線間隙和次層以上不均勻，需至少留1Ts余量（間隙）。

得：初級銅線可用外徑為：9.2/(248/3+1)=0.109mm，對應(yīng)的實(shí)際銅線直徑為0.089mm，太?。ㄐ∮?.1mm不易繞制），不可取。

假設(shè)：初級248Ts在BOBBIN上采用分4層來繞，初級銅線可用外徑為：9.2/(248/4+1)=0.146mm，對應(yīng)的銅線直徑為0.126mm，實(shí)際可用銅線直徑取0.12mm。

IC的VCC電壓下限一般為10~12V，考慮到至少留3V余量，取VCC電壓為15V左右，

得：NV=Vnv/(Vout+VF)*NS=15/(5+1)*15=37.5Ts,取38Ts。

因PSR采用NV線圈穩(wěn)壓，所以NV的漏感也需控制，仍然按整層設(shè)計，

得：NV線徑=9.2/(38+1)=0.235mm,對應(yīng)的銅線直徑為0.215mm，實(shí)際可用銅線直徑取0.2mm。也可采用0.1mm雙線并饒。

到此，各線圈匝數(shù)就確定下來了。

繞完屏蔽后，保TAPE1層；

再繞初級，按以上計算的分4層繞制，完成后包TAPE1層；

為減小初次級間的分布電容對EMC的影響，再用0.1mm的線繞一層屏蔽，包TAPE1層；

再繞次級，包TAPE1層；

再繞反饋，包TAPE2層。