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全球首例寬帶隙半導體應用于太陽能電池技術(shù)在我國研發(fā)成功

鉅大LARGE  |  點擊量:1178次  |  2011年05月19日  

日前,廈門大學物理與機電工程學院康俊勇教授課題組研發(fā)成功一種將氧化鋅和硒化鋅兩種寬帶隙半導體材料用于關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的新型太陽能儲能電池,英國皇家化學學會在最新一期的《材料化學》雜志上發(fā)表了這一成果,在國際上引起廣泛關(guān)注。
    新型太陽能電池的核心技術(shù)是在采用相對于硅壽命更長的新材料時形成光生電流并提高寬帶隙半導體的吸光率。
    對此,康俊勇課題組通過材料和工藝改進來達成目的:
    1、選用兩種寬帶隙半導體材料——氧化鋅和硒化鋅作為太陽能電池的材料,形成類似于PN結(jié)的帶階,讓電流“流動”起來。
    2、通過控制條件,讓兩種材料實現(xiàn)共格生長,首次形成新型量子結(jié)構(gòu),大幅度降低了寬帶隙半導體的有效帶隙,增加了吸收太陽光的范圍。同時,將疊層狀的薄膜形式改為一根一根的同軸線形式,每根僅有200納米。這樣一來,吸光面積大幅度增加,吸光率也隨之提高。
    該技術(shù)在國際上首次實現(xiàn)了寬帶隙半導體在太陽能電池中的應用。

寬帶隙半導體

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鉅大核心技術(shù)能力