鉅大LARGE | 點(diǎn)擊量:2279次 | 2019年06月18日
用于柔性固態(tài)非對(duì)稱超級(jí)電容器的銀量子點(diǎn)修飾MoO3和MnO2紙狀自支撐薄膜
隨著便攜式電子設(shè)備、移動(dòng)電子設(shè)備、電子紡織品和電子皮膚等的快速發(fā)展,對(duì)具有高能量密度和功率密度的高度安全和靈活的能量存儲(chǔ)設(shè)備的需求不斷增大。超級(jí)電容器具有高功率密度、長壽命、寬的工作溫度范圍等特點(diǎn),但能量密度仍然限制了超級(jí)電容器更廣泛的應(yīng)用,通過構(gòu)筑固態(tài)非對(duì)稱超級(jí)電容器可以有效地?cái)U(kuò)展器件的電壓窗口,從而根據(jù)方程式E=1/2·CV2可以有效地提高能量密度。因此,研究具有良好機(jī)械性能的先進(jìn)固態(tài)非對(duì)稱超級(jí)電容器以滿足市場(chǎng)需求成為近來研究的熱點(diǎn)。
二氧化錳(MnO2)是一種有前景的贗電容材料,由于其理論比容量高(1370Fg-1)、成本低、可用性強(qiáng)并且環(huán)境友好,因此作為正極材料備受關(guān)注,但它們的低電導(dǎo)率和固有的氧化還原反應(yīng),通常導(dǎo)致實(shí)際比電容較低和循環(huán)穩(wěn)定性較差。量子點(diǎn)(QD)是具有大致球形形狀且直徑在2和8nm之間的金屬或半導(dǎo)體納米顆粒。本文主要介紹了通過Ag量子點(diǎn)修飾納米結(jié)構(gòu)的過渡金屬氧化物電極,來增強(qiáng)其物理參數(shù)并構(gòu)建優(yōu)異的固態(tài)非對(duì)稱超級(jí)電容器。
近日,華中科技大學(xué)郭新教授和魏璐副教授(共同通訊作者),博士生張興艷(一作)等人通過水熱法合成MoO3納米帶、MnO2納米線和Ag量子點(diǎn),通過簡單的真空抽濾和“浸漬、干燥”過程制備了Ag量子點(diǎn)修飾的MoO3或MnO2(AgQDs/MoO3或AgQDs/MnO2)紙狀自支撐薄膜。該混合納米結(jié)構(gòu)電極表現(xiàn)出優(yōu)異的贗電容性能,具有高的面積比電容,優(yōu)異的倍率性能和循環(huán)穩(wěn)定性。此外,構(gòu)建了基于AgQDs/MnO2陰極,AgQDs/MoO3陽極和Na2SO4/PVA凝膠電解質(zhì)的固態(tài)非對(duì)稱超級(jí)電容器,該器件具有高能量密度、功率密度和良好的柔性,在高度安全的中性水系電解液中具有高達(dá)2V的穩(wěn)定的工作電壓窗口,裝置的整體電化學(xué)性能優(yōu)于文獻(xiàn)報(bào)道的一些非對(duì)稱超級(jí)電容器。相關(guān)論文以“Silver-Quantum-Dot-ModifiedMoO3andMnO2Paper-LikeFreestandingFilmsforFlexibleSolid-StateAsymmetricSupercapacitors”為題發(fā)表在Small上
AgQDs/MoO3和AgQDs/MnO2薄膜的制備:MoO3納米線、MnO2納米線和Ag量子點(diǎn)均采用水熱法合成。首先,將25mgMoO3納米線(或10mgMnO2納米線)分散到50mL去離子水中,超聲處理15分鐘,通過真空抽濾,將得到的濾餅在120℃下真空干燥,然后剝離,從而得到直徑為40mm的紙狀自支撐薄膜。通過簡單的“浸漬、干燥”過程獲得AgQDs修飾的MoO3或MnO2膜:具體過程是將一片MoO3(或MnO2)膜置于培養(yǎng)皿中,加入一定量的分散在環(huán)己烷中的AgQDs溶液直至浸沒,并保持浸漬2小時(shí),再在70℃下干燥2小時(shí)。經(jīng)過幾次浸漬、干燥循環(huán)過程后,樣品在250℃下完全干燥2小時(shí),得到AgQDs/MoO3或AgQDs/MnO2薄膜。固態(tài)非對(duì)稱超級(jí)電容器的制備:固態(tài)非對(duì)稱超級(jí)電容器采用AgQDs/MnO2薄膜作為正極,AgQDs/MoO3薄膜作為負(fù)極,Na2SO4/PVA凝膠作為電解質(zhì),在組裝超級(jí)電容器之前,首先將電極(沒有任何粘結(jié)劑和導(dǎo)電添加劑的AgQDs/MoO3和AgQDs/MnO2薄膜)和隔膜浸泡在凝膠電解質(zhì)中2小時(shí),使用不銹鋼片作為集流體將由隔膜分開的兩個(gè)電極組裝在一起,或使用Ni泡沫作為柔性集流體,并用paraffin膜密封得到柔性器件。
通過簡單的“浸漬、干燥”過程使用Ag量子點(diǎn)對(duì)MnO2和MoO3紙狀自支撐薄膜進(jìn)行表面改性是改善混合電極贗電容存儲(chǔ)性質(zhì)的有效策略。由于插層贗電容機(jī)制,AgQDs/MoO3“紙”在0.2mAcm?2下的比電容高達(dá)735.6mFcm?2,而AgQDs/MnO2“紙”在相同電流密度下的比電容值為63.64mFcm?2,兩者均具有良好的倍率性能和優(yōu)異的循環(huán)性能。組裝的固態(tài)非對(duì)稱超級(jí)電容器,以AgQDs/MoO3“紙”為陽極,AgQDs/MnO2“紙”作為陰極,Na2SO4/PVA凝膠作為電解質(zhì)可以在0-2V的電壓范圍內(nèi)可逆地循環(huán)。它具有高的面積比電容(82.66mFcm-2),在13.3mWcm-3(20μWcm-2)的功率密度下具有30.6mWhcm-3(45.92μWhcm-2)的優(yōu)異能量密度,在不同電流密度下具有良好的循環(huán)穩(wěn)定性,在機(jī)械彎曲作用下具有出色的結(jié)構(gòu)和電化學(xué)完整性。該策略也可以用于制備其他過渡金屬氧化物薄膜或納米結(jié)構(gòu),其中Ag量子點(diǎn)的修飾增強(qiáng)作用可以用于多方面領(lǐng)域,而不限于能量存儲(chǔ)。