晶膠電池-晶膠電池的原理

硅是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，半導(dǎo)體材料中98％是硅，半導(dǎo)體硅工業(yè)產(chǎn)品包括多晶硅、單晶硅（直拉和區(qū)熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅單晶廣泛應(yīng)用于集成電路和中小功率器件。區(qū)域熔單晶目前重要用于大功率半導(dǎo)體器件，比如整流二極管，硅可控整流器，大功率晶體管等。單晶硅和多晶硅應(yīng)用最廣。中彰國際（SINOSI）是一家致力于頂端科技、開拓創(chuàng)新的公司。中彰國際（SINOSI）能夠規(guī)模生產(chǎn)和大批量供應(yīng)單晶硅、多晶硅及Φ4〃-Φ6〃直拉拋光片、Φ3〃-Φ6〃直拉磨片和區(qū)熔NTD磨片并且可以按照國內(nèi)、外客戶的要求供應(yīng)非標(biāo)產(chǎn)品。

晶膠電池-單晶硅單晶硅重要有直拉和區(qū)熔區(qū)熔（NTD）單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ1.5〃-Φ4〃。直拉單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。各項參數(shù)可按客戶要求生產(chǎn)。多晶硅

區(qū)熔用多晶硅可生產(chǎn)直徑Φ40mm－Φ70mm。直徑公差(Tolerance)≤10%，施主水平＞300.㎝，受主水平＞3000.㎝，碳含量＜2×1016at/㎝3。各項參數(shù)可按客戶要求生產(chǎn)。切磨片切磨片可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ1.5〃-Φ6〃。厚度公差、總厚度公差、翹曲度、電阻率等參數(shù)符合并優(yōu)于國家現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)，并可按客戶要求生產(chǎn)。

區(qū)熔（NTD）單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ1.5〃-Φ4〃。直拉單晶硅可生產(chǎn)直徑范圍為：Φ2〃-Φ8〃。硅單晶被稱為現(xiàn)代信息社會的基石。硅單晶按照制備工藝的不同可分為直拉（CZ）單晶硅和區(qū)熔（FZ）單晶硅，直拉單晶硅被廣泛應(yīng)用于微電子領(lǐng)域，微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，使人類社會進(jìn)入了信息化時代，被稱為硅片引起的第一次革命。區(qū)熔單晶硅是用懸浮區(qū)熔技術(shù)制備的單晶硅。它的用途重要包括以下幾個方面。1、制作電力電子器件電力電子技術(shù)是實現(xiàn)電力管理，提高電功效率的關(guān)鍵技術(shù)。飛速發(fā)展的電力電子被稱為硅片引起的第二次革命，大多數(shù)電力電子器件是用區(qū)熔單晶硅制作的。電力電子器件包括普通晶閘管(SCR)、電力晶體管GTR、GTO以及第三代新型電力電子器件功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(pIC)等，廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電、靜止無功補償、電力機(jī)車牽引、交直流電力傳動、電解、勵磁、電加熱、高性能交直流電源等電力系統(tǒng)和電氣工程中。制作電力電子器件，是區(qū)熔單晶硅的傳統(tǒng)市場，也是本項目產(chǎn)品的市場基礎(chǔ)。

2、制作高效率太陽能光伏電池太陽能目前已經(jīng)成為最受關(guān)注的綠色能源產(chǎn)業(yè)。美國、歐洲、日本都制定了大力促進(jìn)本國太陽能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策，我國也于2005年三月份通過了《可再生能源法》。這些措施極大地促進(jìn)了太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)統(tǒng)計，從19982004年，國際太陽能光伏電池的市場一直保持高速上升的態(tài)勢，年平均上升速度達(dá)到30%，預(yù)計到2010年，仍將保持至少25%的上升速度。