鉅大LARGE | 點擊量:1291次 | 2021年07月27日
有關(guān)鋰離子電池保護板常見不良解析
一、無閃現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負載
此類不良首要排除電芯不良(電芯原本無電壓或電壓低),假設(shè)電芯不良則應(yīng)檢驗保護板的自耗電,看是不是是保護板自耗電過大導(dǎo)致電芯電壓低。假設(shè)電芯電壓正常,則是因為保護板整個回路不通(元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCb板內(nèi)部電路不通、過孔不通、MOS、IC損壞等)。詳盡分解
過程如下:
(一)、用萬用表黑表筆接電芯負極,紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端,IC的Vdd、Dout、Cout端,P+端(假定電芯電壓為3.8V),逐段進行分解,此幾個檢驗點都應(yīng)為3.8V。若不是,則此段電路有問題。
1、FUSE兩端電壓有改動:檢驗FUSE是不是導(dǎo)通,若導(dǎo)公例是PCb板內(nèi)部電路不通;若不導(dǎo)公例FUSE有問題(來料不良、過流損壞(MOS或IC操控失效)、質(zhì)料有問題(在MOS或IC動作之前FUSE被燒壞),然后用導(dǎo)線短接FUSE,繼續(xù)往后分解。
充電溫度:0~45℃
-放電溫度:-40~+55℃
-40℃最大放電倍率:1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%
2、R1電阻兩端電壓有改動:檢驗R1電阻值,若電阻值失常,則或許是虛焊,電阻自身開裂。若電阻值無失常,則或許是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問題。
3、IC檢驗端電壓有改動:Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端失常,則是因為IC虛焊或損壞。
4、若前面電壓都無改動,檢驗b-到P+間的電壓失常,則是因為保護板正極過孔不通。
(二)、萬用表紅表筆接電芯正極,激活MOS管后,黑表筆依次接MOS管2、3腳,6、7腳,P-端。
1.MOS管2、3腳,6、7腳電壓有改動,則標(biāo)明MOS管失常。
2.若MOS管電壓無改動,P-端電壓失常,則是因為保護板負極過孔不通。
二、短路無保護
1、VM端電阻出現(xiàn)問題:可用萬用表一表筆接IC2腳,一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳,供認其電阻值大小??措娮枧cIC、MOS管腳有無虛焊。
2、IC、MOS失常:因為過放保護與過流、短路保護共用一個MOS管,若短路失常是因為MOS出現(xiàn)問題,則此板應(yīng)無過放保護功用。
3、以上為正常情況下的不良,也或許出現(xiàn)IC與MOS裝備不良引起的短路失常。如前期出現(xiàn)的bK-901,其型號為‘312D’的IC內(nèi)延遲時間過長,導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動作操控之前MOS或其它元器件已被損壞。注:其間供認IC或MOS是不是發(fā)作失常最簡易、筆直的辦法便是對有懷疑的元器件進行替換。
三、短路保護無自恢復(fù)
1、規(guī)劃時所用IC原本沒有自恢復(fù)功用,如G2J,G2Z等。
2、儀器設(shè)置短路恢復(fù)時間過短,或短路檢驗時未將負載移開,如用萬用表電壓檔進行短路表筆短接后未將表筆從檢驗端移開(萬用表相當(dāng)于一個幾兆的負載)。
3、P+、P-間漏電,如焊盤之間存在帶雜質(zhì)的松香,帶雜質(zhì)的黃膠或P+、P-間電容被擊穿,ICVdd到Vss間被擊穿。(阻值惟有幾K到幾百K)。
4、假設(shè)以上都沒問題,或許IC被擊穿,可檢驗IC各管腳之間阻值。
四、內(nèi)阻大
1、因為MOS內(nèi)阻相比較較穩(wěn)定,出現(xiàn)內(nèi)阻大情況,首要懷疑的應(yīng)當(dāng)是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相比較較簡單發(fā)作改動的元器件。
2、假設(shè)FUSE或PTC阻值正常,則視保護板結(jié)構(gòu)測試P+、P-焊盤與元器件面之間的過孔阻值,或許過孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象,阻值較大。
3、假設(shè)以上多沒有問題,就要懷疑MOS是不是出現(xiàn)失常:首要供認焊接有沒有問題;其次看板的厚度(是不是簡單彎折),因為彎折時或許導(dǎo)致管腳焊接處失常;再將MOS管放到顯微鏡下觀測是不是破碎;終究用萬用表檢驗MOS管腳阻值,看是不是被擊穿。
五、ID失常
1、ID電阻自身因為虛焊、開裂或因電阻質(zhì)料不過關(guān)而出現(xiàn)失常:可從頭焊接電阻兩端,若重焊后ID正常則是電阻虛焊,若開裂則電阻會在重焊后從中裂開。
2、ID過孔不導(dǎo)通:可用萬用表檢驗過孔兩端。
3、內(nèi)部線路出現(xiàn)問題:可刮開阻焊漆看內(nèi)部電路有無斷開、短路現(xiàn)象。
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