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有關(guān)電池保護(hù)板常見不良性分析

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:1900次  |  2020年09月08日  

一、無(wú)顯示、輸出電壓低、帶不起負(fù)載:


此類不良首先排除電芯不良(電芯本來(lái)無(wú)電壓或電壓低),假如電芯不良則應(yīng)測(cè)試保護(hù)板的自耗電,看是否是保護(hù)板自耗電過大導(dǎo)致電芯電壓低。假如電芯電壓正常,則是由于保護(hù)板整個(gè)回路不通(元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過孔不通、MOS、IC損壞等)。具體分析步驟如下:


(一)、用萬(wàn)用表黑表筆接電芯負(fù)極,紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端,IC的Vdd、Dout、Cout端,P+端(假設(shè)電芯電壓為3.8V),逐段進(jìn)行分析,此幾個(gè)測(cè)試點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是,則此段電路有問題。


1.FUSE兩端電壓有變化:測(cè)試FUSE是否導(dǎo)通,若導(dǎo)通則是PCB板內(nèi)部電路不通;若不導(dǎo)通則FUSE有問題(來(lái)料不良、過流損壞(MOS或IC控制失效)、材質(zhì)有問題(在MOS或IC動(dòng)作之前FUSE被燒壞),然后用導(dǎo)線短接FUSE,繼續(xù)往后分析。


2.R1電阻兩端電壓有變化:測(cè)試R1電阻值,若電阻值異常,則可能是虛焊,電阻本身斷裂。若電阻值無(wú)異常,則可能是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問題。


3.IC測(cè)試端電壓有變化:Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端異常,則是由于IC虛焊或損壞。


4.若前面電壓都無(wú)變化,測(cè)試B-到P+間的電壓異常,則是由于保護(hù)板正極過孔不通。


(二)、萬(wàn)用表紅表筆接電芯正極,激活MOS管后,黑表筆依次接MOS管2、3腳,6、7腳,P-端。


1.MOS管2、3腳,6、7腳電壓有變化,則表示MOS管異常。


2.若MOS管電壓無(wú)變化,P-端電壓異常,則是由于保護(hù)板負(fù)極過孔不通。


二、短路無(wú)保護(hù):


1.VM端電阻出現(xiàn)問題:可用萬(wàn)用表一表筆接IC2腳,一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳,確認(rèn)其電阻值大小??措娮枧cIC、MOS管腳有無(wú)虛焊。


2.IC、MOS異常:由于過放保護(hù)與過流、短路保護(hù)共用一個(gè)MOS管,若短路異常是由于MOS出現(xiàn)問題,則此板應(yīng)無(wú)過放保護(hù)功能。


3.以上為正常狀況下的不良,也可能出現(xiàn)IC與MOS配置不良引起的短路異常。如前期出現(xiàn)的BK-901,其型號(hào)為‘312D’的IC內(nèi)延遲時(shí)間過長(zhǎng),導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動(dòng)作控制之前MOS或其它元器件已被損壞。


注:其中確定IC或MOS是否發(fā)生異常簡(jiǎn)易、直接的方法就是對(duì)有懷疑的元器件進(jìn)行更換。


三、短路保護(hù)無(wú)自恢復(fù):


1.設(shè)計(jì)時(shí)所用IC本來(lái)沒有自恢復(fù)功能,如G2J,G2Z等。


2.儀器設(shè)置短路恢復(fù)時(shí)間過短,或短路測(cè)試時(shí)未將負(fù)載移開,如用萬(wàn)用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從測(cè)試端移開(萬(wàn)用表相當(dāng)于一個(gè)幾兆的負(fù)載)。


3.P+、P-間漏電,如焊盤之間存在帶雜質(zhì)的松香,帶雜質(zhì)的黃膠或P+、P-間電容被擊穿,ICVdd到Vss間被擊穿.(阻值只有幾K到幾百K).


4.假如以上都沒問題,可能IC被擊穿,可測(cè)試IC各管腳之間阻值。


四、內(nèi)阻大:


1.由于MOS內(nèi)阻相比較較穩(wěn)定,出現(xiàn)內(nèi)阻大情況,首先懷疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相比較較容易發(fā)生變化的元器件。


2.假如FUSE或PTC阻值正常,則視保護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測(cè)P+、P-焊盤與元器件面之間的過孔阻值,可能過孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象,阻值較大。


3.假如以上多沒有問題,就要懷疑MOS是否出現(xiàn)異常:首先確定焊接有沒有問題;其次看板的厚度(是否容易彎折),因?yàn)閺澱蹠r(shí)可能導(dǎo)致管腳焊接處異常;再將MOS管放到顯微鏡下觀測(cè)是否破裂;后用萬(wàn)用表測(cè)試MOS管腳阻值,看是否被擊穿。


五、ID異常:


1.ID電阻本身由于虛焊、斷裂或因電阻材質(zhì)不過關(guān)而出現(xiàn)異常:可重新焊接電阻兩端,若重焊后ID正常則是電阻虛焊,若斷裂則電阻會(huì)在重焊后從中裂開。


2.ID過孔不導(dǎo)通:可用萬(wàn)用表測(cè)試過孔兩端。


3.內(nèi)部線路出現(xiàn)問題:可刮開阻焊漆看內(nèi)部電路有無(wú)斷開、短路現(xiàn)象。


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