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太陽能電池生產(chǎn)過程對(duì)組件性能有什么影響

鉅大LARGE  |  點(diǎn)擊量:669次  |  2018年11月05日  

太陽能的興起給我們的生活帶來了很多便利,而且由于節(jié)能和無污染的特點(diǎn),它更受歡迎。然而,在太陽能組件的生產(chǎn)過程中,經(jīng)常會(huì)遇到各種各樣的問題。這些問題的出現(xiàn)將對(duì)太陽能組件的性能產(chǎn)生各種影響。下面的簡(jiǎn)單分析總結(jié)了組件生產(chǎn)中常見問題的分析。


a、引起網(wǎng)絡(luò)裂紋的原因


1。電池片是由焊接或搬運(yùn)過程中的外力引起的。


2。電池片在低溫下不進(jìn)行預(yù)熱,在高溫下突然膨脹一小段時(shí)間。


對(duì)組件的影響:

過針刺 低溫防爆18650 2200mah
符合Exic IIB T4 Gc防爆標(biāo)準(zhǔn)

充電溫度:0~45℃
-放電溫度:-40~+55℃
-40℃最大放電倍率:1C
-40℃ 0.5放電容量保持率≥70%

1。網(wǎng)格裂縫會(huì)影響構(gòu)件的功率衰減。


2、網(wǎng)絡(luò)開裂時(shí)間長(zhǎng),熱點(diǎn)等直接影響構(gòu)件性能


預(yù)防措施:


1。避免電池在生產(chǎn)過程中過度碰撞。


2、在焊接過程中,電池應(yīng)預(yù)絕緣(手工焊接)烙鐵溫度達(dá)到要求

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標(biāo)稱電壓:28.8V
標(biāo)稱容量:34.3Ah
電池尺寸:(92.75±0.5)* (211±0.3)* (281±0.3)mm
應(yīng)用領(lǐng)域:勘探測(cè)繪、無人設(shè)備

3、EL測(cè)試必須嚴(yán)格要求進(jìn)行測(cè)試。


b.EVA分層的原因


1。交聯(lián)程度不合格。(如貼合機(jī)溫度低、貼合時(shí)間短等)


2。EVA、玻璃、底板等原材料表面是由異物引起的。


3.EVA原料成分不均勻(如乙烯和醋酸乙烯),常溫下無法溶解,導(dǎo)致分層。


4所示。當(dāng)外界長(zhǎng)期遭遇高溫時(shí),會(huì)產(chǎn)生大量的磁通、主閘門線的分層現(xiàn)象。


對(duì)組件的影響:


1。當(dāng)分層面積小時(shí),會(huì)影響部件的高功耗。當(dāng)分層面積較大時(shí),部件失效報(bào)廢。


預(yù)防措施:


1。嚴(yán)格控制溫度和時(shí)間等重要參數(shù)的層壓機(jī),并定期進(jìn)行交聯(lián)度測(cè)試根據(jù)需求,和控制的交聯(lián)程度在85%±5%。


2。加強(qiáng)原材料供應(yīng)商的改進(jìn)和原材料的檢驗(yàn)


3.加強(qiáng)成品在生產(chǎn)過程中的外觀檢查


4所示。嚴(yán)格控制流量,盡量不超過0.3毫米左右的主電網(wǎng)


c、電池分裂原因


1。焊接時(shí)操作不當(dāng)會(huì)造成碎片


2、吊裝方法不正確時(shí),人員放置不當(dāng)造成構(gòu)件碎片


層壓器故障發(fā)生在組件類中


對(duì)組件的影響:


1。葉瓣部分失效影響元件功率衰減。


單片機(jī)電池功率衰減或完全失效影響元件功率衰減


預(yù)防措施:


1。母線焊接和返工區(qū)域嚴(yán)格按照sop方法操作。


2。起卸部件時(shí),人員應(yīng)嚴(yán)格按照工藝要求進(jìn)行起卸部件。


3、保證貼合機(jī)的定期保養(yǎng)。設(shè)備的每一次更換都必須在生產(chǎn)中第一次確認(rèn)無誤后進(jìn)行


4、EL檢測(cè)嚴(yán)格檢查檢查,嚴(yán)禁不良滲漏


d,泡沫產(chǎn)生的原因


1。層壓板的真空溫度過短,當(dāng)溫度過低或過高時(shí)會(huì)出現(xiàn)氣泡。


2、里面不干凈,會(huì)有異物,氣泡會(huì)出現(xiàn)


3、上部絕緣帶的尺寸過大或過小都會(huì)引起氣泡


對(duì)組件的影響:


元器件氣泡會(huì)影響分層,嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致報(bào)廢


預(yù)防措施:


1。層壓機(jī)抽真空時(shí)間溫度參數(shù)設(shè)置應(yīng)嚴(yán)格按照工藝要求設(shè)置


2、焊接及疊層過程中應(yīng)注意工藝的5s清洗


3、絕緣帶材的切割尺寸嚴(yán)格要求進(jìn)行切割和校核

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